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随着激光、微波、离子束技术的应用，人们开发了各种氧化膜材料的制备方法和技术，主要方法包括脉冲激光沉积、磁溅射、电子束蒸发、分子束延伸等物理方法，以及化学气相沉积、溶胶凝胶、喷雾热解等化学方法。在这些制备技术中，磁控溅射涂层技术具有大面积涂层、工业生产、薄膜质量、成分、结构、均匀性等优点，是工业制备氧化物薄膜材料的重要方法之一，氧化物薄膜材料广泛应用于液晶面板、触摸屏、薄膜太阳能电池、发光二极管等行业。在磁控溅射工艺中，作为被等离子体轰击沉积薄膜用的靶材是非常关键的材料。制备不同的功能膜需要金属或合金、氧化物、碳化物靶材等多种靶材。制备氧化物薄膜通常采用以氧化物陶瓷为靶材的磁控溅射工艺，与金属靶材氧化反应沉积法相比，具有靶材不易中毒和薄膜品质高的优势。氧化物陶瓷靶材属于陶瓷产品，由于对密度、纯度、尺寸、形状、成分、结构、均匀性等有特殊要求，难以工业化。

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溅射靶材在生产过程中的一个环节是真空涂层。在真空涂层中，方法主要包括蒸发涂层和溅射涂层，其中溅射涂层可分为不同的类型。今天，小编将带您了解目标溅射涂层的类型和特点。一、按电极结构分类，1、磁控溅射，磁控溅射也可称为高速低温溅射，在与靶表面平行的方向上施加磁场，利用垂直于电场和磁场的磁控管原理减少电子对基础的轰击，使高速溅射成为可能。对Cu来说，溅射沉积速率为1.8μm/min时，温升为2℃／μm。CU的自溅射可在10-6Pa的低压下进行。2、二极溅射，二次溅射的特点是结构简单，可在大面积基板上制作均匀的膜，放电电流随气压和电压的变化而变化。3、三或四极溅射，三极或四极溅射的特点是可实现低压、低电医学溅射，可独立调节和控制放电电流和轰击目标的离子能量。可自动控制靶的电流。也可进行射频溅射。

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随着电子工业的发展，高科技材料逐渐向薄膜转移，涂层过程发展迅速。靶材是一种附加值高的特殊电子材料，是溅射膜材料的源头。陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料，发展好，靶材市场规模不断扩大。国内陶瓷平面靶材主要采用烧结绑定工艺，可生产长度600mm、宽度400mm、厚度30mm、圆角、斜边、台阶等异形。常见的陶瓷靶材主要有：ITO目标、氧化镁目标、氧化铁目标、氮化硅目标、碳化硅目标、氮化钛目标、氧化铬目标、氧化锌目标、一氧化硅目标、硫化锌目标、二氧化硅目标、二氧化锆目标、二氧化锆目标、三氧化钨目标、三氧化二铝、目标五氧化钽、氟化镁目标、氟化镁目标、硒化锌目标、氮化铝目标、氮化硅目标、氮化硼目标、氮化钛目标、碳化硅目标、铌酸锂目标、钛酸钯目标、钛酸钡目标、钛酸钡目标、氧化镍目标等。

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近年来，以阴极射线管(CRT)为主的计算机显示器和电视市场也将带动ITO靶材的技术和市场需求。现在的1TO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。锡台金靶材可以通过直流反应溅射制成ITO膜，但靶表面会氧化，影响溅射率，不易获得大尺寸的台金靶材。目前ITO靶材一般采用这种方法生产，利润，L}IRF反应溅射涂层。具有沉积速度快、导电率高、膜一致性好、与基板附着力强等优点。但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极人。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结。