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（3）大尺寸：随着各种涂层产品尺寸的不断扩大，相应的基材尺寸也在增大，这就要求使用的陶瓷靶材必须有较大的尺寸。以液晶面板为例，其生产线已发展到10代线(10G)，玻璃基板尺寸约2880mm×3130mm，可切割8块50英寸液晶面板。虽然可以通过绑定多个小目标材料获得大面积溅射目标材料，但这不仅会增加绑定的难度，而且接缝容易引起异常放电，破坏目标材料性能的均匀性，因此单个陶瓷目标材料的尺寸必须大。(4)平面转管状:多年来，镀膜设备主要采用平面阴极，要求平面靶材配套。虽然人们通过设计移动磁场来提高平面靶材的和平性；但在H之前，平面靶材的利用率只能达到40%。为了进一步提高靶材利用率，人们设计了使用效率更高的旋转阴极，用管状的靶材进行溅射镀膜。溅射设备的改进要求靶材从平面形状改为管状，管状旋转靶材的利用率可达80%以上。

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溅射靶材在生产过程中的一个环节是真空涂层。在真空涂层中，方法主要包括蒸发涂层和溅射涂层，其中溅射涂层可分为不同的类型。今天，小编将带您了解目标溅射涂层的类型和特点。一、按电极结构分类，1、磁控溅射，磁控溅射也可称为高速低温溅射，在与靶表面平行的方向上施加磁场，利用垂直于电场和磁场的磁控管原理减少电子对基础的轰击，使高速溅射成为可能。对Cu来说，溅射沉积速率为1.8μm/min时，温升为2℃／μm。CU的自溅射可在10-6Pa的低压下进行。2、二极溅射，二次溅射的特点是结构简单，可在大面积基板上制作均匀的膜，放电电流随气压和电压的变化而变化。3、三或四极溅射，三极或四极溅射的特点是可实现低压、低电医学溅射，可独立调节和控制放电电流和轰击目标的离子能量。可自动控制靶的电流。也可进行射频溅射。

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目标材料的晶粒直径和均匀性被认为是影响膜沉积率的关键因素。此外，薄膜的纯度与靶材的纯度有很大关系。过去纯度的铜靶可能满足半导体制造商0.35pm工艺的需求，但不能满足当前0.25um的工艺要求。对于0.18um甚至0.13m工艺，所需的靶材纯度将达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺低于0.25um的亚微米布线需要，但还带来了其他问题：铜与有机介质材料的附着强度低，易发生反应，导致芯片铜互连线腐蚀断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜连接阻挡层的目标材料包括Ta、W、TaSi、WSi等。然而，Ta和W都是难熔金属。制造相对困难。现在我们正在研究钼、铬等台金作为替代材料。

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真空涂层首先应用于光学领域。二战期间，德国人首先采用真空蒸发涂层法，在军事望远镜和瞄准镜中涂上了大量的光学镜片，并发展到高透过率、高反射率、分光过滤等现代光学玻璃涂层的应用；在另一个真空涂层应用领域:在新兴电子行业，真空涂层法广泛应用于电阻、电容和半导体制造。后来，该技术逐渐发展成为集成电路和微电子设备的细微加工领域，并一直应用到现在；同样，新兴的材料改性也需要提供大量具有特殊性能的工程材料，真空电镀在材料改性和薄膜技术方面处于技术领域，尤其是在高腐蚀、高耐温、高度、高润滑等领域。真空涂层法有其强大的技术优势，并将继续发展。

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金彩汇五分快三随着真空电镀设备和技术的不断改进，硅铝旋转靶材的加工成本不断降低，特别是自20世纪70年代末以来，越来越多的真空电镀加工应用于装饰+腐蚀领域，特别是在一些高等消费品的表面装饰中。靶材供应品种：银（Ag）靶、Cr靶、Ti靶、镍铬（NiCr）靶、锌锡（ZnSn）靶、硅铝（SiAl）靶、氧化钛（TixOy）靶等。靶材在玻璃上的另一个重要应用是制备汽车后视镜，主要是铬靶、铝靶、氧化钛靶等。随着汽车后视镜等级要求的不断提高，许多企业已经从原来的镀铝工艺转变为真空溅射镀铬工艺。

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一旦目标材料被并磨损，目标材料将报废，导致目标材料的利用率低于30%。靶材是磁控溅射过程中的基本耗材，不仅使用量大，而且靶材利用率的高低对工艺过程及生产周期起着至关重要的作用，虽然目前靶材可以回收再利用，但是其仍然对企业成本控制上以及提高企业产品竞争力有很大的影响。因此，试图提高靶材的利用率是不可避免的。对此国内外很多厂商也做出了很多改进的措施。当前，当前提高磁控靶材利用率的原理主要基于改变靶面闭合磁场位形，方法上大致分为静态方法和动态方法。静态法和动态法都有其优缺点。静态方法对磁性钢位形有很高的要求。磁性钢位形变化对靶材利用率的影响需要大量的模拟和实验，但一旦成功，效果显著；动态方法是动态改变靶磁场分布，然后改变靶等离子体蚀刻区域，扩大靶蚀刻区域，提高靶材利用率和涂层均匀性，但大大提高了磁控结构和制造组装的复杂性。