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陶瓷靶材的纯度对溅射膜的性能影响很大。纯度越高，溅射膜的均匀性和批量产品质量的一致性越好。为了减少陶瓷靶材的气孔，提高薄膜性能，溅射陶瓷靶材必须具有高密度。为了保证溅射膜的均匀性，特别是在复杂的大面积涂层应用中，目标成分和结构必须具有良好的均匀性。烘焙：称量前将原料放入烘箱中烘焙3~6小时，烘焙温度为100~120。配料：将烘干的原料按照相应的化学计量比称量；球磨：将称重原料以某种制备方式混合，混合时间为4~12小时，制成均匀浆料；干燥：将制得的均匀浆料烘干；煅烧: 将干粉过筛，轻轻压成块状坯，放入马弗炉中，在800~950℃煅烧4~8小时。

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国内的高纯溅射靶材行业规模和体量尚小，目前处于市场开拓期和成长期；2）溅射靶材在下游产品的成本占比较低，再加上行业较高的技术门槛使得溅射靶材企业具有较强的议价能力，所以溅射靶材产品的盈利能力稳定而优异；（3）溅射靶材行业具有显著超越有色行业平均水平的净资产收益率，而且在资产周转率有较大提升空间的前景下，净资产收益率业也有进一步的提升空间。3、技术封锁打破，需求前景向好，国内溅射靶材企业迎来成长契机，预计溅射靶材市场规模年均复合增速预计为23%左右。国内需求在全球的占比在24%以上，而国内溅射靶材企业在全球市场份额的占比不足2%，在国内溅射靶材制造水平已经突破国外封锁背景下，这种供需比例之间的反差会成为国内溅射靶材企业成长的动力，再加上国内溅射靶材市场的高增长和国内溅射靶材企业的本土优势，国内溅射靶材企业的成长空间被打开。

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金彩汇五分快三一旦目标材料被并磨损，目标材料将报废，导致目标材料的利用率低于30%。靶材是磁控溅射过程中的基本耗材，不仅使用量大，而且靶材利用率的高低对工艺过程及生产周期起着至关重要的作用，虽然目前靶材可以回收再利用，但是其仍然对企业成本控制上以及提高企业产品竞争力有很大的影响。因此，试图提高靶材的利用率是不可避免的。对此国内外很多厂商也做出了很多改进的措施。当前，当前提高磁控靶材利用率的原理主要基于改变靶面闭合磁场位形，方法上大致分为静态方法和动态方法。静态法和动态法都有其优缺点。静态方法对磁性钢位形有很高的要求。磁性钢位形变化对靶材利用率的影响需要大量的模拟和实验，但一旦成功，效果显著；动态方法是动态改变靶磁场分布，然后改变靶等离子体蚀刻区域，扩大靶蚀刻区域，提高靶材利用率和涂层均匀性，但大大提高了磁控结构和制造组装的复杂性。

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目标材料的晶粒直径和均匀性被认为是影响膜沉积率的关键因素。此外，薄膜的纯度与靶材的纯度有很大关系。过去纯度的铜靶可能满足半导体制造商0.35pm工艺的需求，但不能满足当前0.25um的工艺要求。对于0.18um甚至0.13m工艺，所需的靶材纯度将达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺低于0.25um的亚微米布线需要，但还带来了其他问题：铜与有机介质材料的附着强度低，易发生反应，导致芯片铜互连线腐蚀断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜连接阻挡层的目标材料包括Ta、W、TaSi、WSi等。然而，Ta和W都是难熔金属。制造相对困难。现在我们正在研究钼、铬等台金作为替代材料。

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随着电子工业的发展，高科技材料逐渐向薄膜转移，涂层过程发展迅速。靶材是一种附加值高的特殊电子材料，是溅射膜材料的源头。陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料，发展好，靶材市场规模不断扩大。国内陶瓷平面靶材主要采用烧结绑定工艺，可生产长度600mm、宽度400mm、厚度30mm、圆角、斜边、台阶等异形。常见的陶瓷靶材主要有：ITO目标、氧化镁目标、氧化铁目标、氮化硅目标、碳化硅目标、氮化钛目标、氧化铬目标、氧化锌目标、一氧化硅目标、硫化锌目标、二氧化硅目标、二氧化锆目标、二氧化锆目标、三氧化钨目标、三氧化二铝、目标五氧化钽、氟化镁目标、氟化镁目标、硒化锌目标、氮化铝目标、氮化硅目标、氮化硼目标、氮化钛目标、碳化硅目标、铌酸锂目标、钛酸钯目标、钛酸钡目标、钛酸钡目标、氧化镍目标等。