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靶材中毒是指靶材发生反应，成分发生变化。例如工艺TiN，Ti靶与N2反应生成TiN，工艺完后，则Ti靶表面有一层TiN。我们称这种现象为靶材中毒。目标材料中毒现象一：目标电压长期无法达到正常，一直处于低电压运行状态，伴有弧光放电；一般来说，磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当目标中毒发生时，溅射电压会显著降低。金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶中毒后溅射速率低。现象二：靶表面呈白色附着物或密布针状灰色放电痕迹。靶材表面有可能形成了氧化物或者氮化物等。

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溅射靶材在生产过程中的一个环节是真空涂层。在真空涂层中，方法主要包括蒸发涂层和溅射涂层，其中溅射涂层可分为不同的类型。今天，小编将带您了解目标溅射涂层的类型和特点。一、按电极结构分类，1、磁控溅射，磁控溅射也可称为高速低温溅射，在与靶表面平行的方向上施加磁场，利用垂直于电场和磁场的磁控管原理减少电子对基础的轰击，使高速溅射成为可能。对Cu来说，溅射沉积速率为1.8μm/min时，温升为2℃／μm。CU的自溅射可在10-6Pa的低压下进行。2、二极溅射，二次溅射的特点是结构简单，可在大面积基板上制作均匀的膜，放电电流随气压和电压的变化而变化。3、三或四极溅射，三极或四极溅射的特点是可实现低压、低电医学溅射，可独立调节和控制放电电流和轰击目标的离子能量。可自动控制靶的电流。也可进行射频溅射。

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磁控溅射原理：在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，溅射靶材在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气)，磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，目标上有一定的负高压。目标极发出的电子受磁场的影响，工作气体的电离概率增加，阴极附近形成高密度等离子体。在洛仑兹力的作用下，Ar离子加速飞向目标表面，以高速轰击目标表面，使目标上溅射的原子遵循动量转换原理，以高动能从目标表面飞向基高的动能积聚成膜。磁控溅射一般分为直流溅射和射频溅射两种，其中直流溅射设备原理简单，溅射金属时速度快。

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对于所有的金属来说纯度是靶材的主要性能指标之一，为什么这么说呢?靶材的纯度对后期产品薄膜的性能影响很大。但每种产品对靶材的纯度要求也有所不同。例如，微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”,8“发展到12”,而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，在以前的技术要示上对于靶材纯度是99.995%的靶材是完全可以满足0.35umIC的工艺要求，但是现在而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。说到纯度，再说目标材料的杂质含量。目标材料的杂质含量是什么？在经过一系列的靶材工艺处理后靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。由于用途不同，不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业中使用的纯铝和铝合金靶材对碱金属含量和放射性元素含量有特殊要求。